Transistor MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A TO-220
Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.
- Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
- Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
- Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
- Puissance dissipée : 125 W
- Boîtier : TO-220AB
Maîtrisez la Haute Tension avec le Transistor MOSFET IRF640
Vous cherchez à piloter des charges inductives gourmandes ou à concevoir une alimentation à découpage robuste ? Le IRF640 n'est pas qu'un simple composant ; c'est le "muscle" fiable dont votre circuit a besoin. Conçu pour gérer des tensions élevées allant jusqu'à 200 V avec une efficacité redoutable, ce MOSFET à canal N est la solution privilégiée des ingénieurs pour combiner commutation rapide et gestion thermique maîtrisée.
Performance de Commutation et Atouts du IRF640
- Tenue en tension exceptionnelle : Capable de supporter une tension Drain-Source ($V_{DS}$) de 200 V, il est idéal pour les projets haute tension.
- Courant robuste : Délivre un courant continu de 18 A (à 25°C), suffisant pour la plupart des moteurs DC et solénoïdes puissants.
- Réactivité maximale : Avec un temps de montée de seulement 50 ns, il excelle dans les applications PWM à haute fréquence.
- Faible résistance interne : Son $R_{DS(on)}$ typique de 0,15 Ω minimise les pertes d'énergie.
- Format standard : Livré en boîtier TO-220, facilitant l'installation sur un dissipateur thermique.
Applications Pratiques
- Contrôle de moteurs DC : Pilotez la vitesse de moteurs puissants via PWM.
- Alimentations à découpage (SMPS) : Créez des convertisseurs DC-DC efficaces.
- Commutation de relais : Activez des actionneurs industriels (12V, 24V, 48V+).
- Onduleurs : Indispensable dans les convertisseurs DC-AC.
Fiche Technique Détaillée : IRF640
| Caractéristique | Valeur / Spécification |
|---|---|
| Type de Composant | MOSFET Canal N (Enrichissement) |
| Tension Drain-Source ($V_{DS}$) | 200 V Max |
| Courant de Drain ($I_D$) | 18 A (25°C) / 13 A (100°C) |
| Courant Pulsé ($I_{DM}$) | 72 A |
| Résistance On ($R_{DS(on)}$) | 0,15 Ω typique |
| Tension de Grille ($V_{GS}$) | ±20 V |
| Tension Seuil ($V_{GS(th)}$) | 2.0 V à 4.0 V |
| Puissance Dissipée ($P_D$) | 125 W à 150 W |
| Boîtier | TO-220AB |
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FAQ : Dépannage et Utilisation
Q1: Peut-on piloter un IRF640 avec un Arduino (5V) ?
Non, pas efficacement. Il a besoin d'environ 10V sur la grille pour être saturé. Utilisez un driver de MOSFET.
Q2: Pourquoi mon MOSFET chauffe-t-il ?
La puissance dissipée génère de la chaleur. Un dissipateur thermique (heatsink) est obligatoire au-delà de quelques ampères.
Q3: Le MOSFET reste passant sans signal ?
C'est dû à la charge de grille. Ajoutez une résistance de pull-down (10 kΩ) entre Grille et Source.
